品牌:silan 型号:SVD4N65 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2(V) 夹断电压:4(V) 极间电容:-(pF) 低频噪声系数:-(dB) 漏极电流:4A(mA) 耗散功率:100W(mW)
dzsc/18/2442/18244211.jpg | 电压 | dzsc/18/2442/18244211.jpg |
650V | ||
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dzsc/18/2442/18244211.jpg | 产品名称 | dzsc/18/2442/18244211.jpg |
SVD4N65 | ||
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dzsc/18/2442/18244211.jpg | 参数ID | dzsc/18/2442/18244211.jpg |
4A | ||
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dzsc/18/2442/18244211.jpg | 参数RDSON(MAX) | dzsc/18/2442/18244211.jpg |
2.4Ω | ||
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dzsc/18/2442/18244211.jpg | 封装 | dzsc/18/2442/18244211.jpg |
TO-252-2L;TO-220F-3L;TO-220-3L该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。 特点 ∗ 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.0Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 | ||
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品牌:silan 型号:SVD12N65F 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2(V) 夹断电压:4(V) 极间电容:-(pF) 低频噪声系数:-(dB) 漏极电流:4A(mA) 耗散功率:100W(mW)dzsc/18/2442/18244212.jpg电压dzsc/18/2442/18244212.jpg 650V dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg产品名称dzsc/18/2442/18244212.jpg SVD12N65 dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg参数IDdzsc/18/2442/18244212.jpg 12A dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg参数RDSON(MAX)dzsc/18/2442/18244212.jpg 3.0Ω dzsc/18/2442/18244212.jpg dzsc/18/2442/18244212.jpgdzsc/18/2442/18244212.jpg封装dzsc/18/2442/18244212.jpg TO-220-3L; TO-220F-3L dzsc/18/2442/18244212.jpg 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。特点∗ 12A,650V,RDS(on)(典型值)=2.3Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容...
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。特点∗2A,600V∗低栅极电荷量∗低反向传输电容∗开关速度快∗提升了dv/dt 能力 封装: TO-251-3L;TO-252-2L;TO-220-3L;TO-220F-3L 特别说明: 1、所出售商品全部原装正规品,包客诉。 2、TO-252封装,一盘数量是2500只。 3、公司可开具17%增值税专用发票。 4、因公司与淘宝店铺出货同步进行,故下单前请先确认下具体库存数量,以免耽误您的生产时间。 5、量大的请提前一天下单,以便生产评审安排。 运费说明: 1、 宝贝运费为首重内运费,超首重的按实际运费计算。 2、 若要求发顺丰快递,运费按实际计算。 3、 快递一般为优速、韵达、圆通、申通、中通、CCES等快递。 4、 量大可免运费。 5、 包邮限优速快递到达范围内,发其他快递超出部分请补差价。西北地区、港澳台地区不包邮! "