供应 场效应管 BSC123N08NS3G,123N08NS，BSC123N08
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC123N08NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,55A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC123N08NS3G
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):135
漏极电流Id(A):100
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):83
极间电容Ciss(PF):4600
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：110
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,100A N-channel OptiMOS Power-MOSFET
Features
? Fast switching MOSFET for SMPS
? Optimized technology for DC/DC converters
? Qualified according to JEDEC for target applications
? N-channel
? Logic level
? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
? Very low on-resistance RDS(on)
? Superior thermal resistance
? Avalanche rated
? Pb-free plating; RoHS compliant
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEP83A3,CMP83A3,83A3
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP83A3 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0053 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):100 极间电容Ciss(PF):9500 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~175 描述:30V, 150A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 CEP75N06
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP75N06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):125 极间电容Ciss(PF):3650 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:60V, 75A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
