供应 场效应管 CEP75N06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP75N06,TO-220,DIP/MOS,N场,60V,75A,0.012Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP75N06
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):125
极间电容Ciss(PF):3650
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:60V, 75A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC883N03LSG,883N03LS,BSC883N03
信息内容：BSC883N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,98A,0.0038Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 98 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 392 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 57 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold volt...
供应 场效应管 BSC027N04LSG,027N04LS,BSC027N04
信息内容：型 号：BSC027N04LSG 标 记: 027N04LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 40 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 115 mJ Gate source voltage VGS ...
