供应 场效应管 BSC883N03LSG,883N03LS,BSC883N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC883N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,98A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSC883N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,98A,0.0038Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 98 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 392 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 57 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 40 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 3.8 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 3200 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 86 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC027N04LSG,027N04LS,BSC027N04
信息内容：型 号：BSC027N04LSG 标 记: 027N04LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 40 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 115 mJ Gate source voltage VGS ...
供应 MOS 场效应管 FX20ASJ-2
信息内容：产品型号:FX20ASJ-2 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2 功率PD(W):35 极间电容Ciss(PF):2360 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10.3 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~150 描述:-100,-20A P-Channel POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
