价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FX20ASJ-2,RENESAS/瑞萨,SOT-252,-100V,-20A | |
品牌/商标: | RENESAS(瑞萨) | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 2500/盘 |
产品型号:FX20ASJ-2
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):2360
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):10.3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~150
描述:-100,-20A P-Channel POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
产品型号:MBR2060CTP 封装:TO-220 反向重复峰值电压VRRM(V):60 反向工作峰值电压VRWM(V):60 反向直流电压VR(V):60 正向平均电流IF(AV)(A):20 反向电流IR(A): 正向浪涌电流IFSM(A):170 正向直流电压VF(V):0.8 @IF=10A,TJ= 25ºC 功率PD(W): 工作结温Tj(℃): -65 to +175 存储温度Tstg(℃): 应用范围:低电压 高频率,逆变器,保护应用 描述:60V,20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具 功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板. 产品型号:CEU630N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):7.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):54 极间电容Ciss(PF):930 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:200V, 7.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor