供应 肖特基二极管 MBR2060CTP
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MBR2060CTP,TO-220,DIP/肖特基,共阴,60V,20A, | |
| 品牌/商标： | DIODES/美台 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 整流电流： | 20 | |
| 反向电压： | 60 |
产品型号:MBR2060CTP
封装:TO-220
反向重复峰值电压VRRM(V):60
反向工作峰值电压VRWM(V):60
反向直流电压VR(V):60
正向平均电流IF(AV)(A):20
反向电流IR(A):
正向浪涌电流IFSM(A):170
正向直流电压VF(V):0.8 @IF=10A,TJ= 25ºC
功率PD(W):
工作结温Tj(℃): -65 to +175
存储温度Tstg(℃):
应用范围：低电压 高频率,逆变器,保护应用
描述:60V,20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEU630N
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEU630N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):7.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):54 极间电容Ciss(PF):930 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:200V, 7.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 CEP63A3 ,63A3
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP63A3 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):66 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):75 极间电容Ciss(PF):2100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:30V, 66A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
