供应 场效应管 CEP63A3 ,63A3
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP63A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,66A,0.01Ω. | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP63A3
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):66
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):75
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:30V, 66A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEU6060N,CEU6426,CEU6060
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEU6060N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):34 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 开启电压VGS(TH)(V): 功率PD(W):62.5 极间电容Ciss(PF):1320 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:60V, 34A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 CEU05N65,CEU02N6G,CEU01N65
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEU05N65 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.4 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):56 极间电容Ciss(PF):570 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:650V, 4A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
