供应 场效应管 CEU6060N,CEU6426,CEU6060
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEU6060N,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,34A,0.025Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEU6060N
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):34
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025
开启电压VGS(TH)(V):
功率PD(W):62.5
极间电容Ciss(PF):1320
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:60V, 34A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 CEU05N65,CEU02N6G,CEU01N65
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEU05N65 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.4 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):56 极间电容Ciss(PF):570 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:650V, 4A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 CEU540N
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEU540N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100V 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):25A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.053 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):56 极间电容Ciss(PF):1275 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:100V, 25A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
