供应 场效应管 CEU05N65,CEU02N6G,CEU01N65
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEU05N65,SOT-252,SMD/MOS,N场,650V,4A,2.4Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEU05N65
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.4
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):56
极间电容Ciss(PF):570
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:650V, 4A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 CEU540N
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEU540N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100V 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):25A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.053 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):56 极间电容Ciss(PF):1275 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:100V, 25A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 EMA06N03AN,EMA06N03,A06N03A
信息内容：产品型号:EMA06N03AN 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):28 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):83 输入电容Ciss(PF):4840 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：25 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):140 导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ. 上升时间Tr(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ. 下降时间Tf(ns):10 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:28V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
