供应 场效应管 EMA06N03AN,EMA06N03,A06N03A
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | EMA06N03AN,SOT-252,SMD/MOS,N场,25V,80A,0.006Ω | |
| 品牌/商标： | EMC/杰力 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:EMA06N03AN
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):28
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):83
输入电容Ciss(PF):4840 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):140
导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.
上升时间Tr(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:28V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEU4204
信息内容：产品型号:CEU4204 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):24 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.03 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):31 极间电容Ciss(PF):1050 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 温度(℃): -55 ~150 描述:40,24A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FDPF13N50NZ,FDPF13N50
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FDPF13N50NZ Features: •RDS(on) = 0.46 ( Typ. ) @ VGS =10V, ID=5.75A • Low gate charge ( Typ. 23nC ) • Low Crss ( Typ. 14pF ) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compliant 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):13 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.52@VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):42 极间电容Ciss(PF):945 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：12 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:500V,13A N-Channel 功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
