供应 场效应管 CEU630N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEU630N,SOT-252,SMD/MOS,N场,200V,7.5A,0.36Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEU630N
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):7.5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):54
极间电容Ciss(PF):930
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:200V, 7.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEP63A3 ,63A3
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP63A3 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):66 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):75 极间电容Ciss(PF):2100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:30V, 66A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 CEU6060N,CEU6426,CEU6060
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEU6060N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):34 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 开启电压VGS(TH)(V): 功率PD(W):62.5 极间电容Ciss(PF):1320 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150 描述:60V, 34A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
