供应 场效应管 DMC3021LSD,DMC3021LSD-13,C3021LD
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | DMC3021LSD-13,SOP-8,SMD/MOS,N+P场,30V/-30V,8.5A/-7A,0.021Ω | |
| 品牌/商标： | DIODES/美台 | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:DMC3021LSD-13
封装:SOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30/-30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):
漏极电流Id(A):8.5/-7
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):N-Ch:0.021 @10V/P-Ch:0.039 @10V
开启电压VGS(TH)(V):N-Ch:2.1 / P-Ch:-2.2
功率PD(W):2.5
极间电容Ciss(PF):N-Ch:767 / P-Ch:1002
通道极性:N+P通道
低频跨导gFS(s)：N-Ch:8.1 / P-Ch:7
温度(℃): -55 ~150
描述:30V/8.5A -30V/-7A COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 DMG4413LSS,DMG4413LSS-13,P4413LS
信息内容：产品型号:DMG4413LSS-13 封装:SOP-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ): 漏极电流Id(A):-12A 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.1 功率PD(W):2.2 极间电容Ciss(PF):4965 通道极性:P通道 低频跨导gFS(s)：26 温度(℃): -55 ~150 描述:-30V -12A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
供应 场效应管 STF13NM60N,13NM60N
信息内容：产品型号:STF13NM60N 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):11 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):90 极间电容Ciss(PF):790 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):200 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,11A MDmesh™ II Power MOSFET
