供应 场效应管 STF13NM60N,13NM60N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STF13NM60N,TO-220F定型脚,DIP/MOS,N场,600V,11A,0.36Ω | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:STF13NM60N
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):11
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):90
极间电容Ciss(PF):790
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):200
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,11A MDmesh™ II Power MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FDD8896
信息内容：产品型号:FDD8896 封装:SOT-252/DPAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):94 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):80 极间电容Ciss(PF):2525 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,94A N-Channel PowerTrench MOSFET
供应 场效应管 FDU8896
信息内容：产品型号:FDU8896 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):94 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):80 极间电容Ciss(PF):2525 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,94A N-Channel PowerTrench MOSFET
