供应 场效应管 FDD8896
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDD8896 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:FDD8896
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):94
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):80
极间电容Ciss(PF):2525
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,94A N-Channel PowerTrench MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FDU8896
信息内容：产品型号:FDU8896 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):94 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):80 极间电容Ciss(PF):2525 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,94A N-Channel PowerTrench MOSFET
供应 场效应管 STP9NC60FP,P9NC60FP
信息内容：产品型号:STP9NC60FP 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5.2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):1400 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850 导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ. 上升时间Tr(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ. 下降时间Tf(ns):30 typ. 温度(℃): -65 ~150 描述:600V,5.2A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET 产品特点： .极高dv / dt能力 .100％的雪崩测试 .新的高压基准 .栅极电荷最小化 应用范围： .大电流，高开关速度 .SWITH模式电源（SMPS） .DC-AC转换器的焊接 .设备和不间断 .电源和电机驱动
