供应 场效应管 STP9NC60FP,P9NC60FP
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP9NC60FP | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:STP9NC60FP
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5.2
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):1400 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850
导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.
上升时间Tr(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.
下降时间Tf(ns):30 typ.
温度(℃): -65 ~150
描述:600V,5.2A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET
产品特点：
.极高dv / dt能力
.100％的雪崩测试
.新的高压基准
.栅极电荷最小化
应用范围：
.大电流，高开关速度
.SWITH模式电源（SMPS）
.DC-AC转换器的焊接
.设备和不间断
.电源和电机驱动
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 STP9NC60,P9NC60
信息内容：产品型号:STP9NC60 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):125 输入电容Ciss(PF):1400 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850 导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ. 上升时间Tr(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ. 下降时间Tf(ns):30 typ. 温度(℃): -65 ~150 描述:600V,9A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET 产品特点： .极高dv / dt能力 .100％的雪崩测试 .新的高压基准 .栅极电荷最小化 应用范围： .大电流，高开关速度 .SWITH模式电源（SMPS） .DC-AC转换器的焊接 .设备和不间断 .电源和电机驱动
供应 场效应管 PHD78NQ03LT PHD78NQ03
信息内容：产品型号:PHD78NQ03LT 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):61 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):93 输入电容Ciss(PF):1074 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：34 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 上升时间Tr(ns):92 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ. 下降时间Tf(ns):40 typ. 温度(℃): -50 ~175 描述:25V,61A N-沟道增强型场效应晶体管 特点: .Trench技术 .低通态电阻 .快速开关 应用范围： .电脑主板 .DC到DC转换器
