供应 场效应管 PHD78NQ03LT PHD78NQ03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | PHD78NQ03LT,MOS,25V,75A,0.009Ω,252 | |
| 品牌/商标： | NXP（恩智浦） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:PHD78NQ03LT
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):61
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):93
输入电容Ciss(PF):1074 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：34
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
上升时间Tr(ns):92 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ.
下降时间Tf(ns):40 typ.
温度(℃): -50 ~175
描述:25V,61A N-沟道增强型场效应晶体管
特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
应用范围：
.电脑主板
.DC到DC转换器
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 PHD98N03LT PHD98N03
信息内容：产品型号:PHD98N03LT 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):111 输入电容Ciss(PF):3000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 上升时间Tr(ns):80 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ. 下降时间Tf(ns):104 typ. 温度(℃): -50 ~175 描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 特点: .Trench技术 .低通态电阻 .快速开关 应用范围： .电脑主板的高频DC-DC转换器
供应 场效应管 PHB98N03,PHB98N03LT
信息内容：产品型号:PHB98N03LT 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):111 输入电容Ciss(PF):3000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 上升时间Tr(ns):80 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ. 下降时间Tf(ns):104 typ. 温度(℃): -50 ~175 描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 特点: .Trench技术 .低通态电阻 .快速开关 应用范围： .电脑主板的高频DC-DC转换器
