供应 场效应管 PHB98N03,PHB98N03LT
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | PHB98N03,SOT-263,PHILIPS,25V.75A | |
| 品牌/商标： | PHILIPS | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
产品型号:PHB98N03LT
封装:SOT-263
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):111
输入电容Ciss(PF):3000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):80 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ.
下降时间Tf(ns):104 typ.
温度(℃): -50 ~175
描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
应用范围：
.电脑主板的高频DC-DC转换器
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 PHP98N03,PHP98N03LT
信息内容：产品型号:PHP98N03LT 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):111 输入电容Ciss(PF):3000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 上升时间Tr(ns):80 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ. 下降时间Tf(ns):104 typ. 温度(℃): -50 ~175 描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 特点: .Trench技术 .低通态电阻 .快速开关 应用范围： .电脑主板的高频DC-DC转换器
供应场效应管 PHD23NQ10T PHD23NQ10
信息内容：产品型号:PHD23NQ10T 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):23 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):100 输入电容Ciss(PF):890 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):39 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 下降时间Tf(ns):24 typ. 温度(℃): -50 ~175 描述:100V,23A N-channel TrenchMOS transistor 特点: .Trench技术 .低通态电阻 .快速开关 .低热阻 应用范围： 。DC-DC转换器 。开关电源 。T.V.和电脑显示器的电源供应器
