供应 场效应管 PHP98N03,PHP98N03LT
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | PHP98N03LT | |
| 品牌/商标： | PHILIPS | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:PHP98N03LT
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):111
输入电容Ciss(PF):3000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):80 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ.
下降时间Tf(ns):104 typ.
温度(℃): -50 ~175
描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
应用范围：
.电脑主板的高频DC-DC转换器
- 所属城市：广东 深圳
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供应场效应管 PHD23NQ10T PHD23NQ10
信息内容：产品型号:PHD23NQ10T 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):23 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):100 输入电容Ciss(PF):890 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):39 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ. 下降时间Tf(ns):24 typ. 温度(℃): -50 ~175 描述:100V,23A N-channel TrenchMOS transistor 特点: .Trench技术 .低通态电阻 .快速开关 .低热阻 应用范围： 。DC-DC转换器 。开关电源 。T.V.和电脑显示器的电源供应器
供应 场效应管 CEP6060N,CEP6060
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP6060N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):42 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):88 极间电容Ciss(PF):1320 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-65 ~175 描述:60V, 42A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
