供应场效应管 PHD23NQ10T PHD23NQ10
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | PHD23NQ10T | |
| 品牌/商标： | NXP（恩智浦） | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:PHD23NQ10T
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):23
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):100
输入电容Ciss(PF):890 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):39 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.
下降时间Tf(ns):24 typ.
温度(℃): -50 ~175
描述:100V,23A N-channel TrenchMOS transistor
特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
.低热阻
应用范围：
。DC-DC转换器
。开关电源
。T.V.和电脑显示器的电源供应器
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEP6060N,CEP6060
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP6060N 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):42 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):88 极间电容Ciss(PF):1320 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-65 ~175 描述:60V, 42A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 BSC252N10NSFG,252N10NS,BSC252N10
信息内容：产品型号:BSC252N10NSFG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):68 漏极电流Id(A):45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0252 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):78 极间电容Ciss(PF):1100 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：35 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,45A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
