供应 场效应管 DMG4413LSS,DMG4413LSS-13,P4413LS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | DMG4413LSS-13,SOP-8,SMD/MOS,P场,-30V,-12A,0.0075Ω | |
| 品牌/商标： | DIODES/美台 | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:DMG4413LSS-13
封装:SOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):
漏极电流Id(A):-12A
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-2.1
功率PD(W):2.2
极间电容Ciss(PF):4965
通道极性:P通道
低频跨导gFS(s)：26
温度(℃): -55 ~150
描述:-30V -12A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 STF13NM60N,13NM60N
信息内容：产品型号:STF13NM60N 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):11 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):90 极间电容Ciss(PF):790 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):200 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,11A MDmesh™ II Power MOSFET
供应 场效应管 FDD8896
信息内容：产品型号:FDD8896 封装:SOT-252/DPAK 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):94 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):80 极间电容Ciss(PF):2525 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):168 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,94A N-Channel PowerTrench MOSFET
