品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | irfp9240.irfp240 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 200(V) | 夹断电压 | 200(V) |
跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 20(mA) |
耗散功率 | 200(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP460LC.IRFP350LC 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500(V) 夹断电压 400-500(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 250(mW) 欢迎你的来访:本商行专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形; 场效应,肖特基,快恢复,三端稳压,功率管,可控硅,等系列晶体管,货源充足,现货供应。本公...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 2SK1522.2SK1837.IRFP460.IRFP450. 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1000(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形; 场效应,肖特基,快恢复,三端稳压,功率管,可控硅,等系列晶体管,货源充足,现货供应。本公司以...