IRFP460LC.IR场效应管
| 价 格： | 9.00 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRFP460LC.IRFP350LC |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP460LC.IRFP350LC |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 500（V） | 夹断电压 | 400-500（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 10（mA） |
| 耗散功率 | 250（mW） |
欢迎你的来访：本商行专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形；
场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。
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- 所属城市：广东 深圳
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拆机场效应管和肖特基
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 2SK1522.2SK1837.IRFP460.IRFP450. 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1000（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以...
2SK2645富士通MOS管600V10A
信息内容：品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK2645.2SK2761 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 45（mW） 欢迎你的来访：本商行专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念，十三年来深受国内厂家、经销商的信赖...
