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拆机场效应管和肖特基

价 格: 5.00
品牌:IR美国国际整流器公司
型号:2SK1522.2SK1837.IRFP460.IRFP450.

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 2SK1522.2SK1837.IRFP460.IRFP450.
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 1000(V) 夹断电压 1(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA)
耗散功率 1(mW)

公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形; 场效应,肖特基,快恢复,三端稳压,功率管,可控硅,等系列晶体管,货源充足,现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念,十多年来深受国内外厂家、经销商的信赖和支持。真诚欢迎海内外客户洽谈合作,共谋发展
主营厂家::
IR.仙童.ST.东芝.NEC.富士通.日立.ON.POWER.英飞凌.APT.飞利浦.IXYS.三肯.三洋.三凌等..

本公司也有收购;三极管.二极管.I C  等..
原装的..散新的,剪脚的,上机的.拆机的.等都可以..

深圳市福田区锦煜电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 洪伟钿
  • 电话:0755-83013722
  • 传真:0755-83013722
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信息内容:

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场效应对管MTP3055V.MTP2955E

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品牌/商标 MOT美国摩托罗拉 型号/规格 MTP3055V.MTP2955E 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 60(V) 夹断电压 60(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 20(mA) 耗散功率 100(mW) 欢迎你的来访:本商行专营欧洲国家.美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形; 场效应,肖特基,快恢复,三端稳压,功率管,可控硅,等系列晶体管,货源充足,现货供应。本公司以...

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