IR分销 全系列场效应管 原装现货 供应 IRFR024NPBF IRFR024N
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRFR024NPBF |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFR024NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | TR/激励、驱动 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 25（V） |
| 极间电容 | 370（pF） | 漏极电流 | 17（mA） |
| 耗散功率 | 45（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR MOS 场效应管 IRF630NPBF IRF630N IRF630全新原装 长期供应
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF630NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 200（V） 极间电容 575（pF） 漏极电流 9.3（mA） 耗散功率 82（mW）
IR 分销全系列 场效应管 IRF840APBF IRF840A 全新原装
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF840APBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MAP/匹配对管 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 500（V） 极间电容 1018（pF） 漏极电流 8（mA） 耗散功率 125（mW）
