品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF840APBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MAP/匹配对管 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 500(V) | 极间电容 | 1018(pF) |
漏极电流 | 8(mA) | 耗散功率 | 125(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 SIHG20N50C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 500(V) 夹断电压 250(V) 极间电容 2942(pF) 漏极电流 20(mA) 耗散功率 292(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF9530N IRF9530 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 41(V) 跨导 10(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 14(mA) 耗散功率 97(mW) IRF9530NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET P通道,金屬氧化物FET特點...