IR MOS 场效应管 IRF630NPBF IRF630N IRF630全新原装 长期供应
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRF630NPBF |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF630NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 200（V） | 极间电容 | 575（pF） |
| 漏极电流 | 9.3（mA） | 耗散功率 | 82（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR 分销全系列 场效应管 IRF840APBF IRF840A 全新原装
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF840APBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MAP/匹配对管 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 500（V） 极间电容 1018（pF） 漏极电流 8（mA） 耗散功率 125（mW）
原装现货长期供应分销IR场效应管SIHG20N50C可代替IRFP460PBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 SIHG20N50C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 250（V） 极间电容 2942（pF） 漏极电流 20（mA） 耗散功率 292（mW）
