场效应管 CEU4204,CEU6426,CEU6060N
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 型号/规格： | CEU4204,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,24A,0.03Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
CEU4204,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,24A,0.03Ω
CEU6426,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,16A,0.066Ω
CEU6060N,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,34A,0.025Ω
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEU6060N
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):34
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025
开启电压VGS(TH)(V):
功率PD(W):62.5
极间电容Ciss(PF):1320
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150
描述:60V, 34A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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场效应管 SSF10N90A SSF10N80A 10N90
信息内容：产品型号:SSF10N90A封装:TO-3PF源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):6.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3.5功率PD(W):100极间电容Ciss(PF):2760通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5.75单脉冲雪崩能量EAS(mJ):783温度(℃): -55 ~150描述:900V,6.5A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
AP/富鼎 MOS管AP01L60J
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