现货热销IRFD9014PBF MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR | |
| 型号： | IRFD9014PBF |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFD9014PBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 小信号 |
| RoHS: | dzsc/18/7185/18718524.gif 详细信息 |
| 配置: | Single Dual Drain |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 0.5 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 60 V |
| 闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
| 漏极连续电流: | 1.1 A |
| 功率耗散: | 1300 mW |
| 工作温度: | + 175 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | HexDIP |
| 封装: | Tube |
| 最小工作温度: | - 55 C |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 杨宝林
- 电话：755-88250321
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特价热销IRFP32N50KPBF系列产品结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR 国际半导体 型号/规格 IRFP32N50KPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管...
特价热销IRFS9N60A MOS 场效应管
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFS9N60A 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，...
