SI2300增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 0.30 |
| 品牌/商标 | YR | 型号/规格 | 2300 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 0.001（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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增强型MOS管N沟道IRFZ44NPBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFZ44NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 55（V） 低频跨导 0.095（μS） 极间电容 360（pF） 漏极电流 0.25（mA） 全新原装货，批发价直销！深圳市亿瑞半导体科技地址：深圳市福田区中航路新亚洲二期N1A008 传真：0755-82543370联系人：柯先生 电话：0755-82565477 13925222172QQ:224043883 MSN/E-mail：raid888@hotmail.com 我司的主要业务为...
BT138-600E可控硅全系列批发
信息内容：品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BT138-600E 控制方式 双向可控硅 极数 三极 封装材料 树脂封装 封装外形 TO-220 关断速度 普通 散热功能 带散热片 功率特性 中功率 额定正向平均电流 8（A） 控制极触发电流 5（mA） 稳定工作电流 7（A） 反向重复峰值电压 600（V） 全新现货批发，价优！深圳市亿瑞半导体科技地址：深圳市福田区中航路新亚洲二期N1A008 传真：0755-82543370联系人：柯先生 电话：0755-82565477 13925222172QQ:224043883 MSN/E-mail：raid888@hotmail.com 我司的主要业务为：电源...
