品牌/商标 | HAR美国哈里斯半导体 | 型号/规格 | RFP70N03 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | /(V) | 夹断电压 | /(V) |
跨导 | /(μS) | 极间电容 | /(pF) |
低频噪声系数 | /(dB) | 漏极电流 | /(mA) |
耗散功率 | /(mW) |
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 D633,2SD633 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 7(A) 集电极耗散功率PCM 40(W) 截止频率fT /(MHz) 结构 点接触型 封装形式 TO-220 封装材料 金属封装 我的位置
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP150 IRFP250 IRFP450 IRFP460 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金属半导体