品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | D633,2SD633 |
应用范围 | 达林顿 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 100(V) |
集电极允许电流ICM | 7(A) | 集电极耗散功率PCM | 40(W) |
截止频率fT | /(MHz) | 结构 | 点接触型 |
封装形式 | TO-220 | 封装材料 | 金属封装 |
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品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP150 IRFP250 IRFP450 IRFP460 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金属半导体
品牌/商标 TOSHIBA 型号/规格 D1417,2SD1417 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 60(V) 集电极允许电流ICM 7(A) 集电极耗散功率PCM 30(W) 截止频率fT /(MHz) 结构 点接触型 封装形式 TO-220F 封装材料 塑料封装