供应 场效应管 IRFS640B,IRFS640A,HFS640,WFF640
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRFS640A,N,MOS,220F,200V,18A | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | |
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HFS640,SemiHow,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0Ω
IRF640MFP,ST,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0Ω
IRFS640B,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0.18Ω
STK1820F,AUK,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0.17Ω
FQPF32N20C,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,28A,0.082Ω
FKP253,SK,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω
FS20KM-5,RENESAS/瑞萨,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω
FS20KM-5,三凌/MITSUBISHI,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω
IRFS654B,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,21A,0.14Ω
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供应 场效应管 , IRFZ44ZPBF , IRFZ44Z , IRFZ44
信息内容：IRFZ44ZPBF IR TO-220 08NPB DIP/MOS N场 55V 51A 13.9mΩ Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250µA 55 V Continuous drain current ID TC=25℃ 51 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 80 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 4 V Avalanche...
供应场效应管 STP85NF55
信息内容：STP80NF55,ST,TO-220,N场,55V,80A,0.008Ω STP85NF55,ST,TO-220,N场,55V,80A,0.008Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250µA 55 V Continuous drain current ID TC=25℃ 80 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 320 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 300 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold vol...
