供应 场效应管 AON5802 , AON5800 ,5802, 5800
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AON5800,DFN 2*5,双N,MOS,20V,8A | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | DFN 2*5 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | |
产品型号:AON5800
源漏极间雪崩电压VDSS(V):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016
漏极电流Id(on)(A):8
通道极性:双N
封装/温度(℃):DFN 5*2/-55 ~150
描述:25V 50A功率MOSFET
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产品型号:AOD448
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005
漏极电流Id(on)(A):75A
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 75A功率
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AON6200L , AON6200 , 6200
信息内容：产品型号:AON6200L 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078 漏极电流Id(on)(A):24 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):DFN 5*6/-55 ~150 描述:30V 24A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD448 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 漏极电流Id(on)(A):75A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 75A功率MOSFET
供应 场效应管 AOP605,AOP600,AOP607,P605,P600
信息内容：产品型号:AOP605 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150描述:30V 7.5A /-30V -6.6A功率MOSFET 产品型号:AOP600 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150 描述:30V 7.5A / -30V,-6.6A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOP607 源漏极间雪崩电压VDSS(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056 漏极电流Id(on)(A):4.7A 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150 描述:60V 4.7A/-60V -3.4A功率MOSFET
