供应 场效应管 AON6200L , AON6200 , 6200
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AON6200L,DFN 5*6,MOS,30V,24A | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | DFN 5*6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | |
产品型号:AON6200L
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078
漏极电流Id(on)(A):24
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DFN 5*6/-55 ~150
描述:30V 24A功率
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产品型号:AOD448
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005
漏极电流Id(on)(A):75A
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 75A功率
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AOP605,AOP600,AOP607,P605,P600
信息内容：产品型号:AOP605 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150描述:30V 7.5A /-30V -6.6A功率MOSFET 产品型号:AOP600 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150 描述:30V 7.5A / -30V,-6.6A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOP607 源漏极间雪崩电压VDSS(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056 漏极电流Id(on)(A):4.7A 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150 描述:60V 4.7A/-60V -3.4A功率MOSFET
供应 场效应管 AOU417 , AOU401 ,U417 , U401
信息内容：全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.AO3401 SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.2A 0.05ΩA19T SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.2A 0.05ΩAO3407 SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.1A 0.052ΩA79T SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.1A 0.052ΩSI2301，SOT-23，国产，SMD/MOS，P场， -20V， -1.9A，MDS3652URH，SOP-8，MagnaChip/美格纳，SMD/MOS，P场， -30V， -11A，0.017ΩAO P沟道场效应管系列:AO3401,3401 AO SOT-23 P场 -30V -4.2AAO3403L,AO3403,3403 AO SOT-23 P场 -30V -2.6AAO3407,3407 AO SOT-23 P场 -30V -4.1AAO3409,3409 AO SOT-23 P场 -30V -2.6AAO3413L,AO3413,3413 AO SOT-23 P场 -20V -3AAO3415,3415 AO SOT-23 P场 -20V -4AAO3419,3419 AO SOT-23 P场 -20V -3.5AAO4401,4401 AO SOP-8 P场 -30V -6.1AAO4403,4403 AO SOP-8 P场 -30V -6.1AAO4405,4405 AO SOP-8 P场 -30V -6AAO4407,4407 AO SOP-8 P场 -30V -12AAO4411,4411 AO SOP-8 P场 -30V -8AAO4413,4413 AO SOP-8 P场 -30V -15AAO4415,4415 AO SOP-8 P场 -30V -8AAO4419,4419 AO SOP...
