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供应 场效应管 AOP605,AOP600,AOP607,P605,P600

价 格: 面议
型号/规格:AOP605,DIP-8,N+P,30V,7.5A/-30V,-6.6A
品牌/商标:AO
封装形式:DIP-8
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:50/管
功率特征:

产品型号:AOP605

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028

漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6

通道极性:N+P沟道


封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150
描述:30V 7.5A /-30V -6.6A功率MOSFET

产品型号:AOP600

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028

漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6

通道极性:N+P沟道


封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150


描述:30V 7.5A / -30V,-6.6A功率
MOSFET

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产品型号:AOP607

源漏极间雪崩电压VDSS(V):60

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.056

漏极电流Id(on)(A):4.7A

通道极性:N+P沟道


封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150


描述:60V 4.7A/-60V -3.4A功率
MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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供应 场效应管 AOU417 , AOU401 ,U417 , U401

信息内容:

全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.AO3401 SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.2A 0.05ΩA19T SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.2A 0.05ΩAO3407 SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.1A 0.052ΩA79T SOT-23 国产 SMD/MOS P场 -30V -4.1A 0.052ΩSI2301,SOT-23,国产,SMD/MOS,P场, -20V, -1.9A,MDS3652URH,SOP-8,MagnaChip/美格纳,SMD/MOS,P场, -30V, -11A,0.017ΩAO P沟道场效应管系列:AO3401,3401 AO SOT-23 P场 -30V -4.2AAO3403L,AO3403,3403 AO SOT-23 P场 -30V -2.6AAO3407,3407 AO SOT-23 P场 -30V -4.1AAO3409,3409 AO SOT-23 P场 -30V -2.6AAO3413L,AO3413,3413 AO SOT-23 P场 -20V -3AAO3415,3415 AO SOT-23 P场 -20V -4AAO3419,3419 AO SOT-23 P场 -20V -3.5AAO4401,4401 AO SOP-8 P场 -30V -6.1AAO4403,4403 AO SOP-8 P场 -30V -6.1AAO4405,4405 AO SOP-8 P场 -30V -6AAO4407,4407 AO SOP-8 P场 -30V -12AAO4411,4411 AO SOP-8 P场 -30V -8AAO4413,4413 AO SOP-8 P场 -30V -15AAO4415,4415 AO SOP-8 P场 -30V -8AAO4419,4419 AO SOP...

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供应 场效应管 AOU454 , AOU402 ,U454 , U402

信息内容:

产品型号:AOU454 源漏极间雪崩电压VDSS(V):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.033 漏极电流Id(on)(A):12 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-251/-55 ~150 描述:40V 12A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD402 源漏极间雪崩电压VDSS(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.06 漏极电流Id(on)(A):12A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-251/-55 ~150 描述:60V 12A功率MOSFET

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