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功率场效应管

价 格: 面议

型号:75NF75

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-source Voltage (VGS = 0)

VDS

75

V

Drain-gate Voltage (RGS = 20 k)

   VDGR

75

V

Gate- source Voltage

   VGS

± 20

V

Drain Current (continuous) at TC = 25°C

ID

80

A

Drain Current (continuous) at TC = 100°C

ID

70

A

Drain Current (pulsed)

   IDM(•)

320

A

Total Dissipation at TC = 25°C

Ptot

300

W

Derating Factor

 

2.0

W/°C

Peak Diode Recovery voltage slope

    dv/dt (1)

12

V/ns

Single Pulse Avalanche Energy

   EAS (2)

700

mJ

Insulation Withstand Voltage (DC)

VISO

 

V

Storage Temperature

Tstg

-55-175

°C

Operating Junction Temperature

Tj

深圳市欧恩光电技术研究所
公司信息未核实
  • 所属城市:广东
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  • 电话:0086-755-83223160
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