薄膜热导率测试系统产品特点
不直接测量温度变化，而是通过测量材料在导热过程中温度的变化转换为的电信号的变化来实现微/纳米薄膜材料的热导率，微伏级电压值，测量结果的高精准度。
采用交流电加热方式，同时选择并优化设计加热电的形状与尺寸，可加热均匀性及测试应用的广泛性、准确性与稳定性。
待测薄膜样品金属尺寸小，能减小黑体辐射引起的测量误差。
友好的软件界面。
薄膜热导率测试系统测试实例
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| 不同温度下，Si薄膜热导率测试结果 | 不同温度下，SiO2薄膜热导率测试结果 |
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| 不同温度下，GeTe/Bi2Te3晶格热导率的变化 | 不同温度下，GeTe/Bi2Te3晶格热导率的变化 |
薄膜热导率测试系统技术参数
型号 | T-HT |
温度范围 | RT-500K |
测试对象 | 半导体薄膜、导电薄膜、缘薄膜等 |
热导率测量范围 | 0.1-10W/(m·K)(可扩展至2000W/(m·K)) |
测试 （热导率） | ±5%(在Si上测量)，±10%（其他） |
适合氛围 | 真空 |
样品尺寸 | 长 x 宽：(5-10)x(5-10)，单位mm,薄膜厚度≥100nm |
其他注意事项 | 测量导电薄膜时，需要沉积缘层（推荐：Sio2），薄膜表面要光滑，缘层不漏电；衬底热导率要远大于薄膜热导率，推荐使用Si、AIN等高热导衬底。 |
主机尺寸 | 710 x 600 x 490，单位mm |
重量 | 80kg |
薄膜热导率测试系统技术原理
薄膜热导率测试系统原理示意图
本产品技术方案为3ω测试法，其主要原理为在待测薄膜材料表面淀积一层金属电阻条，往金属条两端施加频率为ω的电流，那么在焦耳热的作用下该金属条将产生频率为2ω的温升，由于金属条一般表现出正电阻温度系数，这将导致其电阻值也产生频率为2ω的波动，这个频率为2ω的电阻与频率为ω的电流耦合将产生一个在频率为3ω的小电压信号V3ω。该小信号电压的幅值与待测材料的热导率有关，因而检测该电压信号后通过相关计算，就可求出待测材料的热导率Ks。
