目的 | |||
本规格书针对光鋐科技之38mil InGaN綠光LED晶粒(EP-G3838B-A3)之相 关基本特性进行说明，以作为客户应用时之参考资料。 | |||
产品特性 | |||
本产品为标准蓝宝石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED单面双电结 构，以具有之透明导电层作为P-GaN之欧姆接触层(Ohmic contact layer)，並以2um Au金属层作为焊线电(Bonding pad)。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度: 965&plun;10um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | T | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 500 | - | 540 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 15700 | - | 35800 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.8 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.6 | - | 3.6 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |