目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之32mil InGaN黄光LED晶粒(BN-Y3232A-A3) 之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 | |||
产品特性 | |||
本產品為標準黄寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結 構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contact layer)，並以3.5um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:810&plun;30um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | T | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 570 | - | 610 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 4150 | - | 12000 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.3 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 1.8 | - | 2.8 | V |
Reverse current (Ir) | -10V | 0 | - | 2 | uA |
