目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之38mil AlInGaPIRLED晶粒(BN-Y3838C-A3)之 相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。 | |||
产品特性 | |||
本產品為AlInGaP磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，N-pad 在上雙電極垂直結構，並以3.5um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:940&plun;25um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | T | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 570 | - | 610 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 4150 | - | 10000 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.3 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 1.8 | - | 2.8 | V |
Reverse current (Ir) | -10V | 0 | - | 2 | uA |
