E型电子束蒸发源
一、概述
本蒸发源系坩埚由电机直接驱动、电子束偏转角为270º、用于蒸镀各种金属和非金属材料的磁偏转式E型电子束蒸发装置。
用于真空镀膜过程中电子束蒸发镀膜。实际中广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热／冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器等。电子束蒸发能够很好的控制薄膜厚度、控制薄膜的均匀性，增加镀膜的一致性和重复性，薄膜易于控制。
主要特点：
结构
充分借鉴国内外的电子的优点，具有的水冷和密封结构，经多次长时间的，电子能够在很大的电子束流下长期稳定工作。
可在高温环境下长期工作
在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本电子良好的冷却系统能电子在 400℃的高温环境下长期正常工作。
适用于反应气体
在反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的和能量，对形成高质量薄膜。本电子可以在通入反应气体下正常工作。
安装简便、维护简单运行成本低
本电子的安装简单，耗材只是灯丝及磁件，日常维护工作主要是更换灯丝及磁件。
操作简单
电子的操作简单，通过调节电子的电子束束流以及扫描幅度即可使电子稳定工作（手动及全自动）。控制面板上能直接观察到灯丝电压、电流。
二、主要技术参数
1、电子束偏转角：270º
2、阳电压：6KV、8KV二档
3、阴加热电源：AC 3V＋3V，60A可调
4、束流：间冷坩埚0～500mA、直冷坩埚0～1A
5、坩埚容量（标准型）4孔间冷：4×17mL；4孔直冷：4×22mL；环形直冷：85mL
6、磁场电源
X偏转电流：&plun;2A可调
扫描频率：10～250HZ
Y偏转电流：&plun;2A可调
扫描频率：10～250HZ
7、启动真空度：6.7×10-a
8、坩埚定位（四孔坩埚）：电控自动或手动点控
9、坩埚冷却水
进水温度：≤25℃
进水压力：≥0.2MPa
水流量：≥8L／min
10、电子体接地电阻：≤4Ω
一、概述
本蒸发源系坩埚由电机直接驱动、电子束偏转角为270º、用于蒸镀各种金属和非金属材料的磁偏转式E型电子束蒸发装置。
用于真空镀膜过程中电子束蒸发镀膜。实际中广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热／冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器等。电子束蒸发能够很好的控制薄膜厚度、控制薄膜的均匀性，增加镀膜的一致性和重复性，薄膜易于控制。
主要特点：
结构
充分借鉴国内外的电子的优点，具有的水冷和密封结构，经多次长时间的，电子能够在很大的电子束流下长期稳定工作。
可在高温环境下长期工作
在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本电子良好的冷却系统能电子在 400℃的高温环境下长期正常工作。
适用于反应气体
在反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的和能量，对形成高质量薄膜。本电子可以在通入反应气体下正常工作。
安装简便、维护简单运行成本低
本电子的安装简单，耗材只是灯丝及磁件，日常维护工作主要是更换灯丝及磁件。
操作简单
电子的操作简单，通过调节电子的电子束束流以及扫描幅度即可使电子稳定工作（手动及全自动）。控制面板上能直接观察到灯丝电压、电流。
二、主要技术参数
1、电子束偏转角：270º
2、阳电压：6KV、8KV二档
3、阴加热电源：AC 3V＋3V，60A可调
4、束流：间冷坩埚0～500mA、直冷坩埚0～1A
5、坩埚容量（标准型）4孔间冷：4×17mL；4孔直冷：4×22mL；环形直冷：85mL
6、磁场电源
X偏转电流：&plun;2A可调
扫描频率：10～250HZ
Y偏转电流：&plun;2A可调
扫描频率：10～250HZ
7、启动真空度：6.7×10-a
8、坩埚定位（四孔坩埚）：电控自动或手动点控
9、坩埚冷却水
进水温度：≤25℃
进水压力：≥0.2MPa
水流量：≥8L／min
10、电子体接地电阻：≤4Ω
