产品概述
用于真空镀膜过程中基底离子轰击清洁及沉积过程中离子轰击能量输送。
广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热／冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器、在线清洗、类金刚石沉积等。
能够薄膜的生长、优化薄膜结构，增加镀膜的一致性和重复性，低温率镀膜，清除工件表面水和碳氢化合物，增加薄膜密度，降低内应力低，清除结合力弱的分子，反应气体活度增加，薄膜成分易于控制。
主要特点
结构
充分借鉴国内外的霍尔离子源的优点，具有的水冷和密封结构，经多次长时间的，离子源能够在很大的等离子体束流下长期稳定工作。
可在高温环境下长期工作
在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本离子源良好的冷却系统能离子源在 300℃的高温环境下长期正常工作。
等离子体束流大
为避免基片损伤，需要采用量大束流的等离子体进行辅助镀膜。以往国内采用的多因束流小（＜1.5A）而很难理想的效果。本公司在大功率霍耳等离子体源的设计与制造技术上性的进展，制造出大束流下（＞4A）长期稳定工作的等离子体源。
空间均匀
由于的磁路和放电区结构的设计，在以离子源轴线为中心 20度的圆锥内等离子态的强度均匀性可保持在&plun;20％以内。
适用于反应气体
在离子束辅助反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的和能量，对形成高质量薄膜。本等离子体源可以在通入反应气体将其离化的条件下不出现中毒现象而正常工作。
安装简便、维护简单运行成本低
本离子源的安装简单，耗材只是灯丝，日常维护工作主要是更换灯丝。
操作简单
离子源的操作简单，通过调节离子源的放电电流以及灯丝电流即可使离子源稳定工作。控制面板上能直接观察到灯丝和阳的电压、电流。
主要性能指标
阳电压：DC 50-300V
阳允许电流：10A
阳电流范围：3-10A
离子束流：3.3A
灯丝电流：18-40A
气体流量：20-100Sccm（氧）
外形尺寸（mm）：Φ153×254（H）
电源尺寸（mm）：480（W）×240（H）×600（D）
面板尺寸（mm）：480（W）×133（H）
安装开孔：3个直径略大于33mm的通孔
用于真空镀膜过程中基底离子轰击清洁及沉积过程中离子轰击能量输送。
广泛应用于：增透膜、眼镜镀膜、光纤光学、高反镜、热／冷反光镜、低漂移滤波器、带通滤波器、在线清洗、类金刚石沉积等。
能够薄膜的生长、优化薄膜结构，增加镀膜的一致性和重复性，低温率镀膜，清除工件表面水和碳氢化合物，增加薄膜密度，降低内应力低，清除结合力弱的分子，反应气体活度增加，薄膜成分易于控制。
主要特点
结构
充分借鉴国内外的霍尔离子源的优点，具有的水冷和密封结构，经多次长时间的，离子源能够在很大的等离子体束流下长期稳定工作。
可在高温环境下长期工作
在通常镀膜工艺中，工件需加热至很高温度，整个真空室内温度很高，而本离子源良好的冷却系统能离子源在 300℃的高温环境下长期正常工作。
等离子体束流大
为避免基片损伤，需要采用量大束流的等离子体进行辅助镀膜。以往国内采用的多因束流小（＜1.5A）而很难理想的效果。本公司在大功率霍耳等离子体源的设计与制造技术上性的进展，制造出大束流下（＞4A）长期稳定工作的等离子体源。
空间均匀
由于的磁路和放电区结构的设计，在以离子源轴线为中心 20度的圆锥内等离子态的强度均匀性可保持在&plun;20％以内。
适用于反应气体
在离子束辅助反应沉积镀膜过程中，通常需要用氧气或氮气等与蒸发的膜料进行反应沉积所需薄膜，在此过程中增加反应气体的和能量，对形成高质量薄膜。本等离子体源可以在通入反应气体将其离化的条件下不出现中毒现象而正常工作。
安装简便、维护简单运行成本低
本离子源的安装简单，耗材只是灯丝，日常维护工作主要是更换灯丝。
操作简单
离子源的操作简单，通过调节离子源的放电电流以及灯丝电流即可使离子源稳定工作。控制面板上能直接观察到灯丝和阳的电压、电流。
主要性能指标
阳电压：DC 50-300V
阳允许电流：10A
阳电流范围：3-10A
离子束流：3.3A
灯丝电流：18-40A
气体流量：20-100Sccm（氧）
外形尺寸（mm）：Φ153×254（H）
电源尺寸（mm）：480（W）×240（H）×600（D）
面板尺寸（mm）：480（W）×133（H）
安装开孔：3个直径略大于33mm的通孔
