生长方法 | VB | ||
导电类型 | N型 | ||
掺杂元素 | Si | ||
直径 | 2-4 | 英寸 | |
方向 | (100) 150 ± 10′off toward〈111〉A | ||
载流子浓度 | Min: 0.2 E18 | Max: 4.0 E18 | /cm3 |
电阻率 | Min: 0.8 E-3 | Max: 9.0 E-3 | Ohm.cm |
迁移率 | ≥ 1800 | cm2/v.s | |
位错密度 | ≤ 3500 | /cm2 | |
其他规格可按客户要求提供
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