合成方法:水平法(HB)
用 途:可用于发光二管(LED)、激光二管(LD)以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
砷化镓多晶料性能指标 | ||
原料纯度 | 6N 及以上 | |
导电类型 | N 型 | |
迁移率(cm2/V•s) | 2500~3500 | |
载流子浓度(cm-3) | 1.0×1016~1.0×1017 | |
产品外观 | D 字形 | |
尺寸 | 约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长 | |
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合成方法:水平法(HB)
用 途:可用于发光二管(LED)、激光二管(LD)以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
砷化镓多晶料性能指标 | ||
原料纯度 | 6N 及以上 | |
导电类型 | N 型 | |
迁移率(cm2/V•s) | 2500~3500 | |
载流子浓度(cm-3) | 1.0×1016~1.0×1017 | |
产品外观 | D 字形 | |
尺寸 | 约 60mm 宽× 45mm 高× 330mm 长 | |