一、硅外延的定义
硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。
二、硅外延生长工艺的优点
1、 生长温度比它本身的熔点要低
2、 可以获得、缺陷少的单晶薄层
3、 由于掺杂工艺灵活，可以获得多种结构的单晶或多层外延便于器件参数结构的调整
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