单晶研究及掺杂、规模生产型
功率：2.45GHz，6KW；
水冷样品台：直径50mm，样品台旋转可选
真空系统：机械泵+涡轮分子泵TMP
控制系统：半自动或全自动控制
生长速率： 50μm/h，or even higher
多种子沉积: 10-25 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)
高水平单晶及掺杂工艺培训，现场演示单晶生长。
整体特点：专门为单晶生产及研究配置，易掺杂；可获得高纯度单晶金刚石(SCD)，杂质含量<1ppm，无色透明单晶; 可实现高浓度B-doping、N-doping，获得高迁移率金刚石半导体，部分研究机构使用我们的设备已经实现产品化。
大规模单晶生产型：
功率：915MHz，30KW
样品台：直径100mm，水冷，旋转
真空系统：机械泵+分子泵，真空度10-7 Torr
全自动控制模式，手动和半自动可选
生长速率：50μm/h
多种子同时生长: 40-100 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)
整体特点：专门为大规模单晶生产配置；可获得高纯度单晶金刚石(SCD)，可实掺杂，也可以使用该配置设备进行大面积UNCD/PCD生长。
