价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FNK9928 | |
品牌/商标: | FNK | |
封装形式: | SO-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | 小功率 |
结型场效应管(JFET)
1、结型场效应管的分类:结型场效应管有两种结构形式,它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。
电路符号中栅极的箭头
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,则漏、源极之间导电的沟道越窄,漏极电流ID就愈小;反之,如果栅极电压没有那么负,则沟道变宽,ID变大,所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化,就是说,场效应管是电压控制元件。
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惠州市乾野电子在中国大陆(上海、惠州等)、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。 分类 场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。 dzsc/19/4435/19443545.jpg dzsc/19/4435/19443545.jpg dzsc/19/4435/19443545.jpg
耗尽型 MOS场效应管 耗尽型MOS管与增强型MOS管不同的是予埋了导电沟道,为了使栅极电压uGS能够控制漏极电流iD,应该在NMOS管的栅极加负电压,消耗导电电荷,使导电沟道予夹断。 输出特性,转移特性曲线上UGS(th)是形成导电沟道所需要的栅44是NMOS管的转移 特性和极电压,称为阈值电压。 3.场效应管的等效电路 场效应管是电压控制电流的器件,其栅‐源间的电阻很大,栅极基本不从输入电路取电流。从输入看,是一个电压控制的电流源。当场效应管处于恒流区时,漏极电流的变化量与栅极电压的变化量成正比。 dzsc/19/4435/19443547.jpg dzsc/19/4435/19443547.jpg