FNK40H19 /耗尽型 MOS管 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK40H19 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | TO-220-3L | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
耗尽型 MOS场效应管
耗尽型MOS管与增强型MOS管不同的是予埋了导电沟道，为了使栅极电压uGS能够控制漏极电流iD，应该在NMOS管的栅极加负电压，消耗导电电荷，使导电沟道予夹断。
输出特性，转移特性曲线上UGS(th)是形成导电沟道所需要的栅44是NMOS管的转移
特性和极电压，称为阈值电压。 3．场效应管的等效电路
场效应管是电压控制电流的器件，其栅‐源间的电阻很大，栅极基本不从输入电路取电流。从输入看，是一个电压控制的电流源。当场效应管处于恒流区时，漏极电流的变化量与栅极电压的变化量成正比。
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FNK40H19 增强型 N沟道 MOS 管
信息内容：增强型 N沟道MOS场效应管 结型场效应管虽然输入电阻很高，但是在有些应用场合下还不够高。在温度较高时，栅源电阻会明显减小。在栅源间的PN结正偏时会出现很大的栅极电流。另外其制作工艺较复杂，大规模集成较困难。绝缘栅型场效应管很好地解决了上述问题。二者导电机理不同，结型场效应管利用控制导电沟道的宽窄来控制电流；而绝缘栅型场效应管利用感应出的电荷多少来控制电流。绝缘栅型场效应管分N沟道和P沟道两种，我们以N沟道绝缘栅型场效应管来介绍其工作原理。从结构图中可以看出，它主要由金属、氧化物和半导体组成，所以也称为MOS管。结构和符号。 如果栅极电压较小，D‐S间没有载流子，D‐S间相当于两个背对背的PN结，不能导通。如果栅极加正电压，在电场的作用下栅极的下部就会感应出负电荷，形成N型导电沟道。 此时如果uDS增加，就会形成电流iD。由于iD在沟道中产生压降，使导电沟道中栅极正电 荷的作用自左至右逐渐减弱，导电沟道逐渐变窄，但是只要导电沟道没有夹断，D‐S间就相当于非线性电阻。 S达到一定值时出现予夹断 dzsc/19/4435/19443548.jpg dzsc/19/4435/19443548.jpg
MOS管作用/使用优势 FNK30H150
信息内容：作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3.场效应管可以用作可变电阻。 4.场效应管可以方便地用作恒流源。 5.场效应管可以用作电子开关。 使用优势 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 dzsc/19/4435/19443549.jpg dzsc/19/4435/19443549.jpg dzsc/19/4...
