场效应管 MOS管分类 型号 FNK9926
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FNK9926 | |
| 品牌/商标： | FNK | |
| 封装形式： | SO-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
惠州市乾野电子在中国大陆（上海、惠州等）、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司。是中国研发成功并上量销售650V 超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，目标成为客户全球价值的功率半导体器件与服务供应商。
分类
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
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FNK40H19 /耗尽型 MOS管 场效应管
信息内容：耗尽型 MOS场效应管 耗尽型MOS管与增强型MOS管不同的是予埋了导电沟道，为了使栅极电压uGS能够控制漏极电流iD，应该在NMOS管的栅极加负电压，消耗导电电荷，使导电沟道予夹断。 输出特性，转移特性曲线上UGS(th)是形成导电沟道所需要的栅44是NMOS管的转移 特性和极电压，称为阈值电压。 3．场效应管的等效电路 场效应管是电压控制电流的器件，其栅‐源间的电阻很大，栅极基本不从输入电路取电流。从输入看，是一个电压控制的电流源。当场效应管处于恒流区时，漏极电流的变化量与栅极电压的变化量成正比。 dzsc/19/4435/19443547.jpg dzsc/19/4435/19443547.jpg
FNK40H19 增强型 N沟道 MOS 管
信息内容：增强型 N沟道MOS场效应管 结型场效应管虽然输入电阻很高，但是在有些应用场合下还不够高。在温度较高时，栅源电阻会明显减小。在栅源间的PN结正偏时会出现很大的栅极电流。另外其制作工艺较复杂，大规模集成较困难。绝缘栅型场效应管很好地解决了上述问题。二者导电机理不同，结型场效应管利用控制导电沟道的宽窄来控制电流；而绝缘栅型场效应管利用感应出的电荷多少来控制电流。绝缘栅型场效应管分N沟道和P沟道两种，我们以N沟道绝缘栅型场效应管来介绍其工作原理。从结构图中可以看出，它主要由金属、氧化物和半导体组成，所以也称为MOS管。结构和符号。 如果栅极电压较小，D‐S间没有载流子，D‐S间相当于两个背对背的PN结，不能导通。如果栅极加正电压，在电场的作用下栅极的下部就会感应出负电荷，形成N型导电沟道。 此时如果uDS增加，就会形成电流iD。由于iD在沟道中产生压降，使导电沟道中栅极正电 荷的作用自左至右逐渐减弱，导电沟道逐渐变窄，但是只要导电沟道没有夹断，D‐S间就相当于非线性电阻。 S达到一定值时出现予夹断 dzsc/19/4435/19443548.jpg dzsc/19/4435/19443548.jpg
