价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 2SK3869 | |
品牌/商标: | TOSHIBA(东芝) | |
封装形式: | TO-220F | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 2500/盒 |
产品型号:2SK3869
应用:Switching Regulator Applications/开关稳压器应用
特点:
* 低漏源导通电阻: RDS (ON) = 0.55 Ω (typ.)
* 正向转移导纳: |Yfs| = 5.5 S (typ.)
* 低漏电流: IDSS = 100 μA (VDS = 450 V)
* 增强模式: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
封装:TO-220F
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):450
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.68 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):1050 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):5.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):222
导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ.
下降时间Tf(ns):40 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3869,TO-22OF定型脚,DIP/MOS,N场,450V,10A,0.68Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
产品型号:FDPF51N25YDTU 封装:TO-220F 品牌:FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):51 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):38 输入电容Ciss(PF):2620 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):43 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):1111 导通延迟时间Td(on)(ns):62 typ. 上升时间Tr(ns):465 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):98 typ. 下降时间Tf(ns):130 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FDPF51N25YDTU,250V,51A,0.06Ω N-沟道增强型场效应晶体管 Features 51A, 250V, RDS(on) = 0.06Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 55 nC) Low Crss ( typical 63 pF) Fast switching Improved dv/dt capability 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
产品型号:IPS09N03LAG 特点 * 非常适于高频DC / DC转换器 * 符合到JEDEC1)为目标的应用程序 * N沟道逻辑电平 * 的栅极电荷x R DS(ON)产品(FOM) * 卓越的热电阻 * 175℃的工作温度 * 无铅引脚电镀,符合RoHS 封装:TO-251短 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):50 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0086 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):63 极间电容Ciss(PF):1235 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):46 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):75 温度(℃): -55 ~175 描述:IPS09N03LAG,25V,50A OptiMOS2 Power-Transistor 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)